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赵勇兵; 钱晨辰;
盐城师范学院物理与电子工程学院 江苏盐城 224007;
发光二极管; 载流子复合机制; Droop效应; 调制带宽;
机译:量子限制斯塔克效应和载流子局域效应对GaN基LED调制带宽的影响
机译:载流子溢出和俄歇复合对InGaN基蓝色LED效率下降的影响
机译:InGaN / GaN多量子阱蓝色LED中的V缺陷调制的载流子注入
机译:铟波动对InGaN量子阱LED中载流子传输和电流-电压导通行为的影响
机译:一种利用自由载流子色散效应和辐射损耗机制的硅波导光调制器。
机译:非极性m面InGaN / GaN发光二极管的有效载流子注入传输弛豫和复合与更强的载流子定位和低极化效应相关
机译:具有长波长发射的半极(11-22)ingaN / GaN LED的高调制带宽
机译:基于alGaN / InGaN氮化物的调制掺杂场效应晶体管
机译:带LED绿光复合光束的LED器件。
机译:基于自由载流子色散效应的电光调制的电路架构以及使用CMOS或bi-CMOS工艺的此类调制器电路的波导电容器结构
机译:基于自由载流子色散效应的电光调制的电路架构以及使用CMOS或Bi-CMOS工艺的此类调制器电路的波导电容器结构
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