科研证明
文献服务
退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
无;
不详;
器件; 转换技术; 增量市场; 能源系统; 功率; 适配器;
机译:用于新器件架构的基于物理建模的统一模型:三层材料栅极氧化物堆叠外延沟道轮廓(TRIMGAS Epi)MOSFET
机译:Vishay Siliconix推出军用级N沟道功率MOSFET
机译:源极栅极功函数对双材料栅极矩形凹沟道SOI-MOSFET性能的影响
机译:具有双栅极MOSFET的嵌入式栅极氧化物栅极功函数的新器件架构
机译:单通道压缩应变下具有沟道的p沟道MOSFET的凹陷硅锗结参数优化研究。
机译:GE N沟道MOSFET具有ZrO2电介质实现改进的移动性
机译:在全硅化镍栅极中使用界面钇层调制n沟道mOsFET的功函数
机译:减小150纳米以下沟道长度si mOsFET的沟道热电子产生的基极电流
机译:具有单功函数金属栅的应变沟道CMOSFET增强迁移率及其制造方法
机译:用于双线圈旋转电流发生器的MOSFET控制电路具有N沟道MOSFET,该N沟道MOSFET接到三相发电机的顶部和底部线圈中,以使线圈串联或并联工作。
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。