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电阻; 功率; 电子产品; 产品介绍;
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机译:使用STripFET III技术的MOSFET的导通电阻和开关损耗降低技术-引入具有低导通电阻和低Qg特性的平面MOSFET,其损耗超过沟槽栅MOSFET的损耗
机译:具有超低导通电阻600 V累积型横向双扩散MOSFET的实验研究
机译:超低(1.25米)导通电阻900V SIC 62mm半桥电源模块使用新的10m? SiC Mosfets.
机译:具有沟槽底部源极触点的高密度,低导通电阻的沟槽横向功率MOSFET。
机译:具有增强的双栅极和部分P埋层的超低比导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
机译:通过导通状态电阻映射在线估算SiC功率MOSFET模块的温度
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机译:-导通电阻降低的MOSFET沟道功率MOSFET
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