首页> 中文期刊> 《中国电子商情:基础电子》 >Vishay推出最低导通电阻的新型MOSFET

Vishay推出最低导通电阻的新型MOSFET

         

摘要

Vishay发布采用其新型p通道TrenchFET第三代技术的首款器件-Si7137DP,该20V p通道MOSFET采用SO-8封装,具备业内最低的导通电阻。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号