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赵世勇; 张为灿;
山东大学化学学院;
MOCVD; 掺杂; 气体传感器; 气敏元件; 锡; 氧化铁薄膜;
机译:时效时间对In-Sn共掺杂ZnO纳米粒子的气敏性能和染料光催化效率的影响
机译:评价Fe,Ti和Sn掺杂对ZnO气敏性能的影响
机译:扫描电化学显微镜开发潜在的基于Fe2O3的水氧化光催化剂薄膜:Ag-Fe2O3纳米复合材料和Sn掺杂的影响
机译:掺杂Cu2 +的SnO2纳米粉体的制备及气敏元件特性分析
机译:用于气敏的氧化锡和掺杂的氧化锡纳米材料的溶胶凝胶合成与表征。
机译:伪立方α-Fe2O3纳米粒子的Zn / Sn掺杂PN光电极提高水分解效率
机译:一种采用Fe2O3气敏元件和最小二乘支持向量回归的无线电子鼻系统
机译:电阻加热器在无掺杂和硒掺杂Gaas的mOCVD(金属有机化学气相沉积)生长中的应用
机译:能够在电解过程中转换氧气的电极包括由阀金属氧化物组成的保护层和由IR,SN和至少一种掺杂剂M混合氧化物组成的加泰罗尼亚层,其中IR /(IR + SN)为0.25-0.55和M /(IR + SN + M)为0.22-0.15 M;我有生产和电镀方法。
机译:通过MOCVD形成掺杂的结晶型压电薄膜的方法及相关的掺杂的结晶型压电薄膜
机译:基于MOCVD的稀土掺杂超导体的Nb掺杂钙钛矿通量钉扎
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