含双偶氮结构的聚合物的合成及其电存储性能研究

摘要

设计并合成了一个结构新颖的含有双偶氮结构的聚合物,通过核磁共振氢谱和元素分析等方法分别对各个中间体、单体及其聚合物的结构进行了表征.以此双偶氮聚合物为中间层,分别以Al和ITO作为上电极和下电极,进一步制备了三明治结构的M/I/M型(Al/PBAzo/ITO)电存储器件.对器件的J-V特性曲线、存储机理以及器件的稳定性分别进行了研究.结果表明,由该偶氮聚合物所制备的器件为write-once read-many-times(WORM)的存储类型,ON/OFF状态下电流比超过105;分别在OFF和ON的状态下对器件施加一个大小为-1.0 V的连续电压,在200 分钟内该器件都能保持良好的稳定性.