分步插层法制备含磷化合物插层GIC的研究

摘要

本文采用化学氧化直接插层和分步插层法制备含磷化合物插层GIC,通过对GIC的受热失重变化及膨胀前后石墨层间结构变化的研究表明:直接插层体系的最佳工艺条件为石墨∶H2SO4∶K2Cr2O4(质量比)=1∶4.92∶0.1;分步插层法制备含磷化合物插层GIC的最佳工艺条件为:对直接插层产物水洗pH值为3后,用含磷化合物溶液在30℃下浸泡1 h.分步插层法所制得含磷化合物插层GIG的抗氧化性能提高.X-射线衍射(XRD)对GIC的结构研究表明,插层后石墨层间距离发生了显著变化.