光电摄像器件的现状与动态

摘要

本文综合报导了近几年国际上(主要指美国和日本),在摄像光电器件的新发展。主要介绍了固体摄像器件CCD、MOS、CSD、CPD、SIT以及SBI RCCD等器件。讲述了它们的主要技术性能的发展。例如对分辨率、集成度(微型化),均匀性、噪声、动态范围和性能价格比等技术性能提供了许多具体数据,并作了些比较。同时也对原来长期使用的真空摄像光电器件的新发展作了介绍。无论对开发研制器件还是器件应用的工程技术人员都是很有价值的参考资料。