CMOS器件总剂量辐射响应理论模拟

摘要

利用线性响应理论模型模拟C4007B、CC4007RH和CC4011器件受不同γ射线剂量率辐射时的总剂量效应.研究结果表明,辐射响应与吸收剂量成线性关系时,在实验室选用任一特定剂量率进行总剂量辐射和辐照后室温退火,可以通过线性响应理论模拟其它剂量率辐射下的总剂量效应.理论模拟结果与实际不同剂量率辐射实验结果符合得很好.