MOS器件时间关联辐射响应的理论研究

罗尹虹; 龚建成; 郭红霞; 石小峰

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MOS器件时间关联辐射响应的理论研究

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利用响应函数对MOS器件时间关联辐射响应几个物理过程的实验数据进行拟合计算,包括空穴输运引起的短期恢复、深层俘获空穴引起的长期恢复以及界面态的长期建立.详细分析了俘获空穴的空间分布差异对退火响应的影响以及温度差异对界面态建立的影响.计算结果和实验测量值符合很好,表明该函数在响应分析中的应用是可行的.

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来源
《原子能科学技术》|2006年第1期|100-105|共6页
作者
罗尹虹; 龚建成; 郭红霞; 石小峰;
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作者单位

西北核技术研究所,陕西,西安,710024;

西北核技术研究所,陕西,西安,710024;

西北核技术研究所,陕西,西安,710024;

西北核技术研究所,陕西,西安,710024;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
MOS器件; 时间关联; 响应函数;
入库时间 2022-08-18 01:36:17

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