中子位移损伤监测技术研究

摘要

利用硅双极晶体管直流增益倒数与中子注量具有线性关系的特点，将其作为位移损伤监测器以获取不同中子辐射场的损伤特性。采用两种不同的数据分析方法，分别得到了两种位移损伤监测器阵列的相对损伤常数。研究结果为在现有的实验条件和测试手段基础上选择位移损伤监测器和分析监测结果奠定了基础。