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目录
第一章 绪论
1.1中子和γ 射线辐照概述
1.2国内外研究现状
1.3论文研究的意义
1.4本文主要研究内容
1.5本章小结
第二章 辐射环境及辐照损伤理论
2.1辐射环境概述
2.2辐照效应
2.3辐射损伤物理机制
2.4本章小结
第三章 中子-γ辐照Geant4下的物理建模和程序设计
3.1仿真软件Geant4简介及内核原理
3.2中子-γ 辐照的物理建模和程序设计
3.3本章小结
第四章 中子-γ辐照SiO2/Si材料模拟仿真及分析
4.2中子-γ 辐照Si材料仿真结果及分析
4.3中子辐照SiO2材料仿真结果及分析
4.4中子辐照SOI材料仿真结果及分析
4.5本章小结
第五章 总结与展望
5.1本文总结
5.2未来展望
参考文献
致谢
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