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不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应

         

摘要

对10位CMOS ADC7910在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究.结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异.与加电偏置相比,零偏下0.25 Gy/s (Si)剂量率辐照时的辐射损伤更严重.并对其损伤机理进行了初步探讨.

著录项

  • 来源
    《原子能科学技术》 |2010年第10期|1252-1256|共5页
  • 作者单位

    中国科学院,新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆,乌鲁木齐,830011;

    中国科学院,研究生院,北京,100049;

    中国科学院,新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆,乌鲁木齐,830011;

    中国科学院,新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆,乌鲁木齐,830011;

    中国科学院,新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆,乌鲁木齐,830011;

    中国科学院,研究生院,北京,100049;

    中国科学院,新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆,乌鲁木齐,830011;

    中国科学院,研究生院,北京,100049;

    中国科学院,新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆,乌鲁木齐,830011;

    中国科学院,研究生院,北京,100049;

    中国科学院,新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆,乌鲁木齐,830011;

    中国科学院,研究生院,北京,100049;

    中国科学院,新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆,乌鲁木齐,830011;

    中国科学院,研究生院,北京,100049;

    中国科学院,新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆,乌鲁木齐,830011;

    中国科学院,研究生院,北京,100049;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 双极型;
  • 关键词

    模数转换器; 60Co; γ辐照; 室温退火; 偏置条件;

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