基于GaAs工艺的2~6GHz高效率收发多功能芯片设计

摘要

阐述一款基于GaAsp HEMT的2~6GHz收发多功能芯片的设计,该芯片集成了收发切换开关、接收低噪声放大器和发射功率放大器,具有高集成、低噪声、高增益、高输出功率和附加效率的特点。测试结果显示,在2~6GHz,接收通道增益25dB,噪声系数小于2.5dB,输出P1dB功率13.5dBm,电流小于50mA;发射通道增益大于28dB,饱和输出功率大于23.5dBm,功率附加效率24%~38%,电流小于230mA。芯片尺寸为:3.0mm×2.2mm。