负性光刻胶膜

摘要

SINR负性光刻胶膜扩展了Shin—Etsu MicroSi用于3-DTSV和12-D晶圆键合中的光敏性干式薄膜介质技术。目前其可选厚度从12微米～100微米，这款产品的其他非3D应用包括应力缓冲和晶圆级封装中的再分布层（RDL）介质。低残余应力可以最小化晶圆弯曲度；该材料可以低温固化，避免伤害器件。采用ShinEtsu专利的粘附促进剂，确保了优越的粘合能力。