Cu/低k对45和32nm节点的挑战

摘要

半导体产业正处于限制等比例缩小的基本物理规则开始挑战铜互连技术可扩展性的非常时期。它们包括表面界面所引起的电迁移，基于电子波长与互连尺寸相对大小的电子散射，以及介质常数、电学特性和机械强度等方面的物理极限。这些是Semiconductor Intemationa]最近主办的webcast所得出的主要结论，Dan Edelstein（IBM）、Rudi Cartuyvels（IMEC）、Sitaram Arkalgud（Sematech）．Gurtej Sandhu（Micron）和Jim Ryan（Albany NanoTech）等几位专家参与讨论了互连对未来逻辑和存储器件的挑战。