机译:将蚀刻推到45 / 32nm节点的极限
Unaxis USA, Inc.;
机译:负193 nm DUV抗蚀剂对45 nm节点的评估:光刻,蚀刻和植入过程中的降解动力学
机译:在45纳米节点互补金属氧化物半导体的高压缩接触蚀刻停止层下使用缓冲层的新型负偏置温度不稳定性改善
机译:在45 nm间距互连线上干蚀刻低K介电材料后去除锡硬掩模的蚀刻后残留清洗液的评估
机译:RET在45nm和32nm接触孔干法ArF光刻工艺开发中的应用
机译:纳米器件的器件建模和电路性能评估:超过45 nm节点的硅技术和碳纳米管场效应晶体管。
机译:预留空间后施用的不同灌溉剂对自蚀树脂水泥推出强度的影响
机译:用45nm sOI中的16节点芯片原型逼近网格NoC的理论极限