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Janine Love;
半导体; 材料; 氮化镓GaN;
机译：在300-500摄氏度下升高氮化镓（GaN）的氮化镓（GaN）的氮化镓（GaN）升温等离子体
机译：新型2D结构材料：碳氮化镓（CC-GaN）和硼氮化镓（BN-GaN）异质结构-通过密度泛函理论进行材料设计
机译：两种新的与结构相关的氮化锶镓镓：Sr4GaN3O和Sr4GaN3（CN2）
机译：GaN功率器件的最新趋势：氮化镓，氮化镓
机译：AlGaN（氮化镓铝）/ GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管的热压电机械仿真。
机译：新型2D结构材料：碳镓氮化物（CC-GaN）和硼-氮化镓（BN-GaN）异质结构—通过密度函数进行材料设计理论
机译：通过直接在连续氢化物气相外延（HVPE）过程中直接形成的多肽中间层（GaN）的自由型氮化镓（GaN）的生长
机译：利用氮化铟镓（InGaN）/氮化镓（GaN）异质结构的负极化特性实现具有深紫外（<250nm）发射的频率倍增蓝绿激光（2年级）。
机译：氮化镓（GaN）和氮化镓（GaN）的气相生长方法
机译：氮化镓（GaN）复合半导体晶体的制造方法以及氮化镓（GaN）复合半导体晶体的制造方法
机译：GaN LED镓氮化物/氮化镓器件的氮化铝在AC LED的硅基板上的集成
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