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彭惠薪; 刘琳; 郑宏超; 于春青;
北京微电子技术研究所 北京100076;
存储器; 单粒子翻转; 抗辐照; 敏感性分析;
机译:质子的径向电离曲线对纳米级SRAM的SEU灵敏度的影响
机译:支持基于SRAM的SEU和多个SEU的故障注入平台
机译:基于SEU反转的SRAM单元的SEU强化布局设计
机译:高效估计SRAM基FPGA中的SEU效应
机译:研究反馈电阻之间的串扰对SRAM单元的SEU抗扰性的影响。
机译:脂质基的分子结构和相变水分散体配方:粗粒化分子动力学仿真方法
机译:sRams中位翻码的统计异常以区分mCUs sEUs
机译:sEU(单事件翻转)容忍存储器单元源自sRam中的sEU机制的基础研究(静态随机存取存储器)
机译:固态电解质组成,用于全固态二级电池的表,用于全固态二级电池的电极表,全固态二级电池,以及用于制造全固态二级电池的表和用于全固态二级电池的表状态中学细胞
机译:全固体二次电池的粘合剂组合物,用于全固体二次电池电极混合物的浆料组合物,用于全固体二次电池的固体电解质层的浆料组合物,用于全固体二次电池的电极,用于全固体二级的固体电解质层电池和全固态二次电池
机译:SRAM CELL锁定SEU(单事件干扰)
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