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非晶硅薄膜晶体管; 电子迁移率; 欧姆接触层; 栅极绝缘层;
机译:薄膜太阳能电池本征氢化非晶硅的沉积-通过RF-PECVD静态生长和通过VHF-PECVD动态生长的层的比较研究
机译:在薄膜太阳能电池应用中的氢化非晶硅膜上利用电子温度在VHF-PECVD中使用结构温度进行研究
机译:PECVD沉积沉积氢化非晶硅硬掩墩膜的等离子体功率的影响
机译:通过HWCVD,RF PECVD和VHF PECVD沉积的氢化非晶硅层的晶体硅表面钝化:热退火对少数群体寿命的影响
机译:PECVD氢化非晶硅膜和HWCVD氢化非晶硅膜的质子NMR研究。
机译:用于性能提高的表面电磁波生物传感器的氢化非晶硅氮化硅光子晶体
机译:氢化非晶硅中的空穴迁移率限制原子结构
机译:富含缺陷外延对晶体硅/非晶硅异质结太阳能电池的影响及低迁移率层用于提高性能。
机译:一种氢化的含非晶硅的复合胶体的制备方法和用氢化的非晶硅复合层的胶体封装物,氢化的非晶的硅复合胶体的氢化物和含硅的复合层封装物的封装方法及其用途
机译:用于DRAM存储芯片的层结构的生产包括使用PECVD方法在衬底上沉积非晶硅层并构造该硅层以形成硬掩模。
机译:具有PECVD非晶硅元件的电可编程互连结构
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