退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
冯锡淇; 骆宾章;
无;
机译:通过升华分子束外延获得的具有p-n结的掺silicon硅结构在1.5μm波长下具有反向偏压的击穿模式下的电致发光性质
机译:升华分子束外延生长反向掺杂Er掺杂的硅p-n结结构在1.5μm击穿模式下的电致发光性质
机译:关于电致发光的在击穿模式的性质,对掺铒的硅结构上1.5mkm波长反向偏置c。通过升华MBE获得p-n结
机译:快速升华外延碳化硅碳化硅同源外延生长期间的质量运输建模
机译:p型和n型碳化硅的欧姆接触的制造和表征,并应用于p-n结二极管。
机译:通过限制碳化硅的升华生产大面积结构化外延石墨烯
机译:在散装碳化硅P-N结二极管中产生的硅空位缺陷的突出发光
机译:4H-碳化硅p-N结二极管的电学表征
机译:碳化硅半导体的p-n结形成方法及碳化硅半导体元件
机译:具有外延沉积P-N结的硅晶片
机译:外延沉积的具有P-N结的硅晶片及其制造方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。