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宗祥福; 邱绍雄; 杨恒青; 黄长河; 陈骏逸; 胡刚; 吴仲墀;
不详;
GaSb; AlSb; GaAs; 应变层; 分子速;
机译:Gasb和Gasb / Alsb超晶格缓冲层,用于在商业GaAs和Si基板上生长的高质量光电二极管
机译:具有AlSb / GaSb复合缓冲层的GaAs衬底上GaSb的分子束外延
机译:新型GaSb / AlSb / GaSb / AlSb / InAs / AlSb / InAs三势垒带间隧穿二极管
机译:通过AL_(0.09)在GaAs(001)底物上生长的INSB量子孔中的结构缺陷(0.09)IN_(0.91)SB / GASB-ALSB应变层超晶格/ ALSB / GASB缓冲层
机译:InAs / GaAs短周期应变层超晶格的分子束外延生长。
机译:GaAs衬底上分子束外延生长的中波和长波InAs / GaSb超晶格的电学性质
机译:GaAs和Si上生长的6.1ÅIII-V材料的特性:GaSb / GaAs外延和GaSb / AlSb / Si外延的比较
机译:InGaas / Gaas和Gaas / Gaasp应变层结构中的应变和密度相关价带质量。
机译:基于INAS / ALSB / GASB的II型SL引脚检测器,N上为P,P上为N
机译:基于INAS / ALSB / GASB的II型SL引脚检测器,具有P on N和N on P配置
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