掺 Te GaSb/AlSb 超晶格的温度变化光致发光谱

摘要

本文报导了用分子束外延方法生长的掺ＴｅＧａＳｂ／ＡｌＳｂ超晶格的温度变化光致发光谱。对于阱宽为９０Ａ。的超晶格样品，根据发光强度与激发功率的关系得出，低温下的复合以辐射复合为主；线型分析显示存在很强的激子声子耦合。本文还讨论了发光淬灭机制。