Bi12GeO20晶体的位错蚀斑与对称群

摘要

用化学浸蚀法系统的研究了Ｂｉ１２ＧｅＯ２０晶体｛１００｝，｛１１０｝，｛１１１｝等晶面独特浸蚀斑规律，并用对称群理论进行分析。理论预示的蚀斑形态与实验结果符合很好，显示位错蚀斑是由｛１１２｝晶面组成，即晶体的惯态面为｛１１２｝。