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钟志萍; 武淑兰; 徐征; 朱林繁; 张晓军; 凤任飞; 徐克尊;
无;
机译:使用Al2O3和AlN的直接2步压力烧结使用Al2O3和AlN使用ALN缺陷组合物制备透明γ-alon
机译:具有Al2O3,AlN和Al2O3 / AlN叠层电介质的AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体异质结构中界面电荷和体电荷的比较研究
机译:MOCVD生长的AlN(11〜20)/α-Al2O3(1〜102)异质外延膜的开裂机理
机译:PEBLD诱导AlnO / AlGaN / GaN MIS二极管的界面工程,Al2O3中的AlN替代插入Aln
机译:纳米Al2O3或AlN颗粒和微米Al 2O3纤维增强镁合金AM60基混合纳米复合材料的开发
机译:AlN和BCN薄膜多层设计对Ni / Ni-20Cr薄膜热电偶在热喷涂Al2O3上反应时间的影响
机译:等摩尔耐火金属基合金20NB 20MO 20MC 20AL的高温氧化行为,没有SI添加
机译:Ti / al2O3,Ti3al / al2O3和Tial / al2O3复合材料的界面稳定性研究
机译:AlN AlN AlN AlN AlN烧结体AlN基质及其制备方法
机译:半导体器件的平衡应力组件,其中一个或多个器件在两侧均粘合到引线框架,引线框架的另一侧粘合到AlN,Al2O3或Si3N4衬底
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