Spindt型与薄膜场致发射的数值模拟与特性比较

摘要

采用质点网格法(particle-in-cell),利用MAGIC软件模拟了场致发射的物理过程.对两种典型的场致发射模型(Spindt阴极发射体和金刚石薄膜发射体)分别进行了模拟.对Spindt阴极发射,研究了发射特性与尖端尺寸,尖端与栅极面的相对高度的关系.对金刚石薄膜发射,比较了三极管和四极管的发射特性,以及薄膜面积对发射特性的影响,得出金刚石薄膜发射体优于Spindt发射体的特性.