p型纳米硅与a-Si∶H不锈钢底衬nip太阳电池

胡志华; 廖显伯; 刁宏伟; 夏朝凤; 曾湘波; 郝会颖; 孔光临

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p型纳米硅与a-Si∶H不锈钢底衬nip太阳电池

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报道了选用厚度为0.05mm的不锈钢箔作衬底,B掺杂P型氢化纳米硅作窗口层,制备成功开路电压和填充因子分别达到0.90V和0.70的nip非晶硅基薄膜单结太阳电池.UV-VIS透射谱和微区Raman谱证实所用p层具有典型氢化纳米硅的宽能隙和含有硅结晶颗粒的微结构特征.明确指出导致这种氢化纳米硅能隙展宽的物理机制是量子尺寸效应.

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来源
《物理学报》 |2005年第6期|2945-2949|共5页
作者
胡志华; 廖显伯; 刁宏伟; 夏朝凤; 曾湘波; 郝会颖; 孔光临;
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作者单位

中国科学院半导体研究所,北京,100083;

云南师范大学能源与环境科学学院,云南师范大学太阳能研究所,昆明,650092;

中国科学院半导体研究所,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,北京,100083;

云南师范大学能源与环境科学学院,云南师范大学太阳能研究所,昆明,650092;

中国科学院半导体研究所,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,北京,100083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
氢化纳米硅; 量子尺寸效应; a-Si∶H太阳电池;

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