具有NIP隧穿结的a-Si/μc-SiGe叠层太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明涉及一种具有NIP隧穿结的a-Si/μc-SiGe叠层太阳能电池及其制造方法。其方法包括以下步骤：步骤一，生成上层电池的非晶硅薄膜，步骤包括，以已知方法沉积P型非晶硅窗囗层；以已知方法沉积本征非晶硅吸收层；沉积N型非晶硅层。步骤二，生成下层电池的微晶硅薄膜，步骤包括，将步骤一制作的电池放入真空室里，在通入氩气的条件下，刻蚀氧化层；沉积沉积N型微晶硅层；沉积本征微晶硅层；沉积P型微晶硅层；沉积本征微晶硅锗吸收层；沉积N型微晶硅层。步骤三，在PVD反应室里以已知方法依次沉积ZnO和Al膜，厚度分别为70和300nm。本发明的方法能与现有PECVD法的工艺兼容，同时提高了电池的转化效率。