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稀释磁性半导体Sn1-xMnxO2的室温铁磁性

         

摘要

采用固相反应法,制备了不同成分的稀释磁性半导体Sn1-xMnxO2(x=0.02,0.04,0.06).利用x射线衍射和傅里叶变换红外光谱法证明了锰均匀地掺杂到二氧化锡中.在室温下研究了掺锰二氧化锡基稀释半导体的磁性,发现它具有明显的铁磁性,同时对磁性的强弱与锰的含量和烧结温度的关系作了研究.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2005年第6期|2934-2937|共4页
  • 作者单位

    西南师范大学物理系,重庆,400715;

    南京大学固体微结构国家重点实验室,南京,210093;

    南京大学固体微结构国家重点实验室,南京,210093;

    南京大学固体微结构国家重点实验室,南京,210093;

    南京大学固体微结构国家重点实验室,南京,210093;

    西南师范大学物理系,重庆,400715;

    南京大学固体微结构国家重点实验室,南京,210093;

    南京大学固体微结构国家重点实验室,南京,210093;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

    稀释磁性半导体; 掺杂; 烧结; 铁磁性; Sn1-xMnxO2;

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