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超深亚微米PMOSFET的自愈合效应

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摘要

主要研究负栅压偏置不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)效应中的自愈合效应,研究了器件阈值电压随着恢复时间和应力时间的恢复规律.研究表明器件的退化可以恢复是由于NBTI应力后界面态被氢钝化.

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来源
《物理学报》 |2006年第5期|2508-2512|共5页
作者
李晶; 刘红侠; 郝跃;
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作者单位

西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;

西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;

西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
负偏置温度不稳定性效应; 自愈合效应; 应力时间; PMOSFET;

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