电子束光刻的邻近效应及其模拟

摘要

用Monte Carlo方法模拟和分析了电子束光刻中限制其分辨率的主要因素--邻近效应的影响.分析了入射电子束的形状、入射电子的能量、衬底材料和厚度对邻近效应大小的影响,并与实验结果进行了比较,发现模拟结果与实验结果符合得很好.分析表明高斯分布的电子束比理想电子束的邻近效应大;衬底原子序数越大,衬底越厚,入射电子束能量越低,邻近效应越大.