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吴红丽; 赵新青; 宫声凯;
北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京,100083;
NiTi金属间化合物; TiO2/NiTi界面; 电子结构; 第一性原理计算;
机译:氢掺杂对N掺杂TiO2的几何和电子结构影响的第一性原理研究
机译:Mg / NbB_2非均相成核界面电子结构和界面稳定性的第一性原理计算
机译:氧缺陷对SnO2电子结构影响的第一性原理计算
机译:掺杂MnBi化合物的第一性原理计算
机译:从第一性原理计算含稀土金属掺杂的锐钛矿型TiO2的电子结构和光学性质
机译:从第一性原理计算mn-s共掺杂锐钛矿型TiO2的电子和光学性质
机译:利用Nb掺杂TiO2电极的电化学高级氧化工艺
机译:选择性掺杂氮原子的TiO2-xNx纳米管及其制造方法,该方法可以用氮原子替代氧原子来控制TiO2纳米管的电子结构
机译:由Nb掺杂TiO2颗粒形成的导电材料
机译:由ENB掺杂的TiO2颗粒制成的导电材料
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