质子辐照对纯铝薄膜微观结构的影响

摘要

利用透射电子显微镜(TEM)详细分析了不同剂量的质子辐照纯铝薄膜样品的微观结构,质子的能量E=160keV.实验表明,质子辐照能够在Al薄膜中诱发空位位错圈,在实验范围内,位错密度随辐照剂量的增加而增加;质子辐照在1×1011-4×1011/mm2范围内随辐照剂量的增加,位错圈数量密度以及位错圈尺寸都随之增加.在较高剂量6×1011/mm2 辐照下,位错圈数量密度减小,但其尺寸显著增加,空位倾向于形成较大的空位簇缺陷,且样品中出现胞状结构,胞壁之间有角度很小的取向差,这种胞状结构与材料力学性能的退化关系密切.