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关庆丰; 陈波; 张庆瑜; 董闯; 邹广田;
江苏大学材料学院,镇江,212013;
吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130012;
中国科学院长春光学精密机械及物理研究所应用光学国家重点实验室,长春,130033;
大连理工大学三束材料国家重点实验室,大连,116024;
强流脉冲电子束; 堆垛层错四面体; 单晶铝; 空位簇缺陷;
机译:铜单晶中堆垛层错四面体诱导的可塑性
机译:单晶铜纳米切割中堆垛层错四面体的应力诱导形成机理
机译:铝中的堆垛层错四面体
机译:4H-SiC二极管结构中电子束辐照引起的堆垛层错扩展
机译:Mg和Mg合金堆垛层错和长周期堆垛有序结构的第一性原理研究
机译:堆垛层错四面体在铜中的迁移和聚结
机译:预应变超薄单晶铜膜中堆垛层错引起的位错湮灭的分子动力学模拟
机译:辐射诱导淬火铝堆垛层错
机译:一种在制造碳化硅单晶中尽可能降低堆垛层错密度的方法
机译:具有减少的堆垛层错数量的掺杂有红色磷的硅单晶的制造方法以及使用该单晶硅的硅晶片的制造方法
机译:减少堆垛层错形核位点的结构和减少堆垛层错形核位点的结构的光刻方法
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