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张旭; 周玉泽; 闭强; 杨兴华; 俎云霄;
北京邮电大学电子工程学院,北京,100876;
忆阻元件; 边界条件; 数学模型; 性质;
机译:关于忆阻,忆阻和忆磁系统的物理性质
机译:忆阻元件双环滞后行为的简单模型
机译:忆阻性Hebbian可塑性模型:基于忆阻性器件模拟Hebbian可塑性的设备要求
机译:显示忆阻行为的薄膜器件的忆阻和忆阻建模
机译:忆阻网络中的集体现象:工程阶段过渡到计算阶段
机译:忆阻随机可塑性可模仿神经同步性:忆阻电路可模拟光学错觉
机译:具有忆阻行为的薄膜器件的忆阻和瞬态电容建模
机译:生物自组装忆阻电路元件
机译:忆阻性神经形态电路和训练忆阻性神经形态电路的方法
机译:忆阻材料的形成方法及具有忆阻作用的电极结构
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