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孙伟峰; 李美成; 赵连城;
哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,哈尔滨,150001;
第一性原理; 俄歇复合; 碰撞电离; 半导体超晶格;
机译:硅纳米晶/二氧化硅超晶格中光激发载流子动力学中双分子和俄歇重组的相互作用
机译:多层窄带隙超晶格中俄歇复合的温度依赖性
机译:LaAlO3 / SrTiO3超晶格中双层二维电子气的光致发光光谱的温度依赖性:俄歇复合和单载流子俘获并存
机译:锑基,应变平衡,窄带隙超晶格中的俄歇复合
机译:超快中红外光谱源及其在窄带隙量子受限结构中载流子动力学研究中的应用。
机译:GaAs / AlAs超晶格中点缺陷的第一性原理研究:相稳定性及其对能带结构和载流子迁移率的影响
机译:准确的第一原则详细说明了俄歇的平衡确定 半导体中的复合和碰撞电离率
机译:多电离氮的荧光产率和俄歇率。
机译:俄歇分析样品架,用于分析相反裂缝的晶界和使用该支架的俄歇分析方法
机译:俄歇制造方法和俄歇式制冰机
机译:在地质地层中相对于地质极限位置进行钻探的方法,其中该方法包括检测钻探参数,并且正在破坏地质层中的钻探,使用这些参数来定位钻头的位置,生成地质图建模,使用通过俄歇和控制器检测到的参数;系统;俄歇
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