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杨雯; 宋建军; 任远; 张鹤鸣;
西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071;
改性Ge; 能带结构; 带隙调制; 光电集成;
机译:高阶随机矩和隐含波动率估计:在Black-Scholes模型中应用Edgeworth展开↓高阶随机矩和隐含波动率:在Edge模型中应用Edgewoth扩展-胆
机译:AlAs,GaP和SiGe合金的能带结构:30 k×p模型
机译:超磁控等离子体CVD形成的导电a-CNx:H薄膜的Fowler-Nordheim隧穿,光伏应用和新的能带结构模型
机译:椭偏分析,Ge_(1-y)C_y,Ge-Rich Si_(1-x-y)Ge_xC_y和掺硼Si_(1-x)Ge_x合金的光学性质和能带结构
机译:CaGeO3-硅灰石,MgGeO3-高斜云母辉石和Mg2GeO4-橄榄石的压力诱导结构改性和非晶化
机译:利用ARGET ATRP对木粉进行表面改性及其在热塑性填料中的应用。
机译:假设量子散射模型在新型电致发光器件设计中的应用
机译:GaN:Eu中断生长外延(IGE):薄膜生长和电致发光器件。
机译:根据计算出的能带结构数据提供近似电子结构模型的系统和方法
机译:应用模拟计算模型进行计算的方法汽车开发应用中组件的稳定性,涉及通过安全计算环境解密计算模型,并将模型应用于模型数据
机译:用于设计机器人应用程序的开发环境,包括机器人应用程序模型,控制接口模型,在应用程序模型与控制接口模型之间提供的数据链接以及显示/可视化单元
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