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卢励吾; 周洁; 封松林; 段树坤;
北京半导体超晶格国家重点实验室;
中国科学院半导体研究所;
北京集成光电子学联合实验室中国科学院半导体研究所实验区;
半导体激光器; 能级; 汽相外延生长;
机译:金属有机汽相外延生长的深Al_xGa_(1-x)N电子能级与各种Al组成
机译:通过化学束外延生长Ga_(1-x)In_xAs中的Ga和In掺入率
机译:金属有机气相外延生长(Ga_(1-x)In_x)_2O_3外延生长中铟作为表面活性剂对β-Ga_2O_3的影响
机译:低压金属有机化学气相沉积法生长Ga_(1-x)Mn_xN及其在偏光LED中的应用
机译:用于量子盒激光器的GaInAsP / InP有机金属气相外延(OMVPE)
机译:金属有机汽相外延减少Si衬底上制备的InAs纳米鳍的位错
机译:低压金属有机气相外延生长的应变In1-xGaxAsyP1-y / InP量子阱异质结构
机译:有机金属气相外延生长的应变层InGaas(p)/ Inp量子阱半导体激光器
机译:固态半导体激光器制造中InP外延选择性区域生长(SAG)中的掺杂控制
机译:Al x sub> ga 1-x sub> AS,Al 0.5 sub>在 0.5 sub> p,和Al x使用外部ALCL 3 Sub>发电机,通过氢化物气相外延氢化物液相外延, sub>(0.5-x sub>)中的(0.5-x sub>)
机译:超低压金属有机汽相外延(MOVPE)生产II-IV半导体化合物的方法以及由此生产的II-VI半导体化合物
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