新型电子俘获型光存储材料Sr_2SnO_4:Sb^(3+)的发光性能研究

摘要

采用高温固相法在1300℃的温度获得了一种新型电子俘获型光存储材料Sr_2SnO_4:Sb^(3+).结果表明:208 nm(Sb^(3+)的~1S_0→~1P_1)和265 nm(~1S_0→~3P_1)的紫外光是Sr_2SnO_4:Sb^(3+)的最有效信息写入光源;其发射是覆盖400—700 nm的宽带(~3P_(0,1)→~1S_0),肉眼可看到淡黄色白光,色坐标为(0.341,0.395).热释光谱研究结果表明:Sr_2SnO_4:Sb^(3+)有分别位于39℃,124℃,193℃和310℃的四个热释峰.其中,39℃的热释峰强度很低,因而Sr_2SnO_4:Sb^(3+)只具有不到140 s的微弱余辉.而310℃的高温热释峰在空置1天后,仍能保持约45.6%的初始强度,并对980 nm的红外光有很好的红外上转换光激励响应.因此,Sr_2SnO_4:Sb^(3+)是一种具有一定的信息存储应用潜力的新型光存储发光材料.