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李标; 褚君浩; 常勇; 桂永胜; 汤定元;
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室;
上海200083;
HgCdTe; 禁带; 本征光吸收; 红外材料;
机译:非抛物半导体的块体和量子阱的带间吸收系数的简单分析及其在Hg_(1-x)Cd_xTe材料中的应用
机译:通过改变带偏移,阱宽度和组成x对CdTe / Hg_(1-x)Cd_xTe / CdTeQuantum阱的能谱建模
机译:硼离子注入后梯度带隙外延结构Hg_(1-x)Cd_xTe中的辐射缺陷形成
机译:具有三层光吸收结构的外延LWIR Hg_(1-x)Cd_xTe光电导体中产生复合噪声密度随300 K背景通量的变化
机译:本征和非本征点缺陷对外延单晶铜-铟(1-x)-镓(x)-二硒化物的影响。
机译:具有偶极子禁带跃迁的半导体生物激发的带边激光作用
机译:冻结岩盐$ Pb_ {1-x} Cd_xTe $晶体的光发射光谱
机译:体Inas(1-x)sb(x)和II型Inas(1-x)sb(x)/ Inas应变层超晶格中的导带和价带能量。
机译:宽禁带半导体带隙电子性能测量方法和宽禁带半导体带隙电子性能测量装置
机译:高禁带禁带材料及其器件与制造混合的非晶多组分电介质
机译:高温超导体集总元件禁带高温超导体集总元件禁带滤波器D拒绝滤波器
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