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InGaP/GaAs双结太阳电池的研制

             
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摘要

报导了自行研制的InGaP/GaAs双结太阳电池,电池的转换效率在21%～24%之间(1AM0,28℃),填充因子在79%～82%之间.文中对其材料结构设计、器件工艺制作以及性能测量表征等方面的问题进行了讨论.

著录项

  • 来源
    《太阳能学报 》 |2004年第5期|620-623|共4页
  • 作者

    张永刚; 刘天东; 胡雨生; 朱诚; 南矿军; 洪婷; 李爱珍;

  • 作者单位

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TK514;
  • 关键词

    光伏 ; 串接太阳电池; 化合物半导体 ; InGaP/GaAs;

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