VHF-PECVD法高速率沉积氢化微晶硅薄膜

摘要

采用光发射谱(OES)技术对氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)生长过程进行了原位监测,并对不同沉积条件下VHF等离子体中SiH*和H*的发光峰强度与薄膜沉积速率之间的关系进行了分析与讨论.通过Raman光谱、X射线衍射与扫描电子显微镜(SEM)测量,研究了μc-Si:H薄膜的结构特征与表面形貌.基于当前的沉积系统,对μc-Si:H薄膜沉积条件进行了初步优化,使μc-Si:H薄膜的沉积速率提高到2.0nm/s.