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张力; 孙云; 何青; 徐传明; 肖建平; 薛玉明; 李长健;
南开大学光电子研究所,天津,300071;
CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜; 预置层(In0.7Ga0.3)2Se3; 集成组件;
机译:带有ALD-Zn_(1-x)Mg_xO缓冲层的Cu(In,Ga)Se2太阳能电池的温度相关电流电压和光吸收测量
机译:硒气氛对使用Cu(In,Ga)Se2纳米粒子的太阳能电池吸收层致密化的影响
机译:各种羧酸对Cu(IN,GA)SE2太阳能电池(IN,GA)SE2太阳能电池(IN)SE2太阳能电池的缓冲层(S,O,OH)膜中的化学浴沉积性能的影响
机译:TiO2作为Cu(In,Ga)SE2太阳能电池中的中间缓冲层
机译:化学浴和表面沉积法制备Cu(InGa)Se2太阳能电池板(CdZn)S缓冲层的比较研究
机译:用于Cu(IN,GA)SE2太阳能电池的精确控制的Cu缺陷层和Cu(Ga)Se2吸收器之间的界面的表征(Phy。Station Solidi RRL 8/2018)
机译:Cu(In,Ga)se2薄膜集中器太阳能电池:预印。
机译:Cu(Ga和/或In)Se2薄膜层,Cu(InGa)(S,Se)2薄膜层,太阳能电池和形成Cu(Ga和/或In)Se2薄膜层的方法
机译:通过化学浴沉积法制备CU(IN,GA)SE2或CU(IN,GA)(S,SE)2薄膜太阳能电池及其制造的太阳能电池来制造INX(OOH,S)Y缓冲层
机译:太阳能电池吸收层制备Cu(INGA)SE2纳米粉的方法
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