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董少光; 范广涵;
华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州,510631;
佛山科学技术学院光电子与物理学系,佛山,528000;
中间带; GaN; 电学性质; 光学性质; 半导体材料;
机译:Movpe-GaN中GaN种植的GaN的微观结构和光学性质及GaN生长的GaN组织和光学性质。
机译:金属有机气相外延生长在GaN上的AlInN / GaN和AIN / GaN超晶格的晶体和电学性质
机译:GaN,ZnO和(GaN)1-x(ZnO)x的结构,电子和光学性质的第一性原理研究。
机译:具有不同GaN盖层厚度InGaN / GaN多量子阱的光学性质的研究
机译:合金和宽度波动对材料影响的原子分析 InGaN / GaN量子阱的电子和光学性质
机译:用可变角度椭偏仪研究GaN和其他III族氮化物半导体材料的光学特性
机译:形成基于GaN的复合半导体的底层复合材料的方法,基于GaN的半导体发光元件以及制造基于GaN的半导体发光元件的方法
机译:具有改善的电学和光学性质的具有透光电极的GaN基复合半导体发光器件的制造方法
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