摘要
第一章 绪论
1.1 半导体材料简介
1.2 低维半导体结构
1.3 闪锌矿和纤锌矿简介
1.4 二维过渡金属硫化物
1.4.1 二维过渡金属硫化物简介
1.4.2 二维材料的调制研究
1.5 本文研究材料介绍
1.5.1 GaN材料的性质和应用
1.5.2 SiGe材料的性质和应用
1.5.3 层状结构ZrS2材料
1.6 主要研究内容
第二章 理论基础
2.1 激子态
2.2 有效质量理论
2.3 变分法
2.4 密度泛函理论
2.4.1 绝热近似(Born-Oppenheimer approximation)
2.4.2 孔恩,沈吕九定理
2.4.3 局域密度近似和广义梯度近似
2.4.4 DFT+U方法
2.5 从头算计算使用的软件介绍
2.6 缺陷的形成能和跃迁能
2.6.1 半导体材料的掺杂
2.6.2 元素的化学势
2.6.3 缺陷的形成能和跃迁能级
第三章 纤锌矿InGaN staggered量子阱中激子态和光学性质
3.1 引言
3.2 模型和计算细节
3.3 计算结果和讨论
3.3.1 对称结构InGaN staggered量子阱情形
3.3.2 非对称结构InGaN staggered量子阱情形
3.4 本章小结
第四章 激光对直接带隙Ge/SiGe量子阱中激子态和光学性质影响
4.1 引言
4.2 模型和计算细节
4.3 结果与讨论
4.3.1 激光场对量子阱激子基态性质的影响
4.3.2 阱宽对量子阱激子基态性质的影响
4.4 本章小结
第五章 Ⅴ和Ⅶ族掺杂ZrS2单层的电子结构
5.1 引言
5.2 计算方法
5.3 计算结果和讨论
5.3.1 本征ZrS2单层的电子结构
5.3.2 Ⅴ族原子掺杂ZrS2单层的电子结构
5.3.3 Ⅴ族原子掺杂ZrS2单层的形成能和跃迁能级
5.3.4 Ⅶ族原子掺杂ZrS2单层的电子结构
5.3.5 Ⅶ族原子掺杂ZrS2单层的形成能和跃迁能级
5.4 本章小结
第六章 二维ZrS2-2xSe2x合金的电子结构和光学性质的研究
6.1 引言
6.2 计算方法
6.3 结果与讨论
6.3.2 二维ZrS2-2xSe2x合金的电子结构特征
6.3.3 二维ZrS2-xSe2x合金的的光学性质
6.4 本章小结
第七章 总结与展望
参考文献
致谢
攻读博士学位期间的主要工作
参加的学术会议交流
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