磁控溅射Sn/Cu/ZnS预置层后硫化法制备Cu2ZnSnS4薄膜及其性能研究

摘要

采用磁控溅射法制备Sn/Cu/ZnS金属预置层,结合硫化热处理制备Cu2ZnSnS4薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、拉曼光谱仪（Raman）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外-可见分光光度计（UV-VIS）和霍尔测试系统等一系列测试方法对样品结构、各组分含量、表面形貌、光学带隙及电学性能进行表征及计算。研究结果表明Sn/Cu/ZnS金属预置层经490和540℃硫化热处理后的薄膜均为单一Cu2ZnSnS4相,其中,540℃硫化热处理后的薄膜结晶度较高,且薄膜表面平整致密,禁带宽度约为1.58 eV,呈现P型导电。