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王延来; 果世驹;
内蒙古大学物理科学与技术学院内蒙古自治区高等学校半导体光伏技术重点实验室;
呼和浩特010021;
北京科技大学粉末冶金研究所;
北京100083;
CuInSe2薄膜; 超声波电沉积; 硒化;
机译:硒化的Cu_2Se和In_2Se_3二元双层前驱体硒化制备CuInSe_2薄膜太阳能电池
机译:Cu / In比对硒化Cu-In层制备的CuInSe_2薄膜性能的影响
机译:通过快速热处理共溅射Cu-In前驱体的硒化制备CuInSe_2薄膜
机译:硒化温度对金属Cu - 合金前体硒化制备的CuinSe_2膜性能的影响
机译:通过硒化铜铟氧化物制备的薄膜铜铟二硒化物的表征。
机译:Cu(In1-xGax)Se2薄膜太阳能电池一步硒化过程的综合研究
机译:Cu0.8Ga0.2和In2Se3precursor薄膜硒化Cu(In,Ga)Se2Thin膜的制备与表征
机译:在Tl-Ca-Ba-Cu-O HTs系统中的薄膜制备和单膜器件制造。
机译:制备硒化铟合金粉末,烧结铟化硒合金,Ga-Se合金粉末,烧结Ga-Se合金粉末,In-Ga-Se合金粉末,烧结In-Ga-Se合金,Cu-In-Ga-Se的方法合金粉末和Cu-In-Ga-Se烧结合金
机译:再结晶方法使硒化薄膜Cu(In,Ga)Se硒化。 sub.2,用于半导体器件应用
机译:Se InGaSe / Cu CIGS由缺乏硒的堆叠式InGaSe / Cu前驱体制备CIGS薄膜
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