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高延军; 端木庆铎; 王国政; 李野; 田景全;
长春理工大学理学院,吉林长春,130022;
吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012;
电子物理学; 电化学刻蚀; 大孔深通道阵列; 氢氟酸; P型硅;
机译:电化学刻蚀制备p型硅中的三维大孔阵列
机译:采用液面自组织的方法在洁净的玻璃片表面铺设单层六方密排的聚苯乙烯胶体球阵列,通过改变等离子 刻蚀的时间实现对胶体小球的直径控制,结合离子溅射Au膜和磁控溅射MoO2膜,最终构筑成为一种新颖的MoO2/Au微纳阵列结构,利用扫描电镜对所合成材料进行形貌表征;同时重点利用接触角测量仪对 微纳阵列薄膜的浸润性进行研究,分析水在微纳阵列表面所形成的接触角的角度变化,结果显示沉积 MoO2/Au微纳阵列比相应的Au微纳阵列更加亲水,有利于材料在水溶液中进行电化学反应。
机译:Si电化学刻蚀工艺制备的皮升容积玻璃管阵列
机译:p型硅晶片上的深大孔阵列的电化学刻蚀
机译:电化学刻蚀法制备适用于扫描探针显微镜的钨棒
机译:质子束写入结合电化学刻蚀法制备的硅基光子晶体
机译:单自对准刻蚀工艺制备三维硅基光子晶体结构。
机译:利用对硅基体具有较高刻蚀选择性的掩膜层制造后置通道阵列晶体管的方法
机译:利用掩模层对硅基板的蚀刻选择性进行蚀刻的凹型沟道阵列晶体管的制造方法大
机译:硅基TERAHERTZ组件的多步深反应离子刻蚀制备工艺
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