公开/公告号CN113380616A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-10
原文格式PDF
申请/专利权人 江苏尚今光电科技有限公司;
申请/专利号CN202010158248.6
申请日2020-03-09
分类号H01L21/3063(20060101);C30B33/10(20060101);C30B29/36(20060101);B82Y40/00(20110101);
代理机构11427 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人艾秀丽
地址 225600 江苏省扬州市高邮市送桥镇天山工业集中区
入库时间 2023-06-19 12:32:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-09-15
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/3063 专利申请号:2020101582486 申请公布日:20210910
发明专利申请公布后的视为撤回
机译: 在碳化硅(SiC)基质的光电化学刻蚀中使用的刻蚀剂,刻蚀装置和刻蚀方法
机译: SiC法通过化学气相沉积和均匀制备的碳化硅复合材料均匀生长SiC纳米线制备高密度碳化硅复合材料
机译: SiC法通过化学气相沉积和均匀制备的碳化硅复合材料均匀生长SiC纳米线制备高密度碳化硅复合材料