The University of Wisconsin - Madison.;
机译:基于Direct-Gap III-V半导体的异质结构的有效哈密顿量。 kp微扰理论和不变式方法
机译:P_2O_5与SiO_2比率任意的掺铋或掺-的磷硅酸盐玻璃的光致发光性质的拓扑工程
机译:掺ped硫代硅酸euro的光致发光特性
机译:碳含量对铒掺杂硅氧化硅薄膜光致发光性能的影响
机译:II-VI和III-V化合物半导体的结构和光学性质。
机译:使用凹角纳米结构控制和建模III-V半导体表面的润湿特性
机译:III-V氮化物宽带隙半导体的光学和电学特性。年报,1997年4月1日至1998年5月31日
机译:III-V氮化物宽带隙半导体的光学和电学特性。年报,1997年4月1日至1998年5月31日